onsemi IRLS640A
$ 0.744
EOL
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi IRLS640A fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, A-FET, 200 V, 9.8 A, 180 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohm 56 nC 40 W DMOS Mosfet - TO-220F
Mosfet, N-Ch, 200V, 9.8A, To-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(On):0.18Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi IRLS640A
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Current Rating9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.705 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation40 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità