onsemi HUFA76419D3ST
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi HUFA76419D3ST fornite dai suoi distributori.
Transistor, Mosfet, N-Channel, 60V V(Br)Dss, 20A I(D), To-252Aa Rohs Compliant: Yes
N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 60V, 20A, 43mΩ
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
75W(Tc) 16V 3V@ 250µA 27.5nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 37mΩ@ 20A,10V 20A 900pF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
MOSFET, N-CH, 60V, 20A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 75W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: UltraFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance43 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max37 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità