onsemi FQI17N08LTU
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Obsolete
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQI17N08LTU.
Parti correlate
onsemiFQI7N10LTU
3.75W(Ta),40W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 6nC@ 5V 1N 100V 350m¦¸@ 3.65A,10V 290pF@25V I2PAK,TO-262
InfineonIPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 / N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQI17N08LTU fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level
3.75W(Ta)£¬65W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 11.5nC@ 5V 1individualNChannel 80V 100m¦¸@ 8.25A,10V 520pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance115 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance520 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time290 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità