Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQD5N50TM.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQD5N50TM fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 500V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
500V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs & MOSFETs RF .
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance610 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.8 Ω
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQD5N50TM.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità