onsemi FQA9N90C-F109
$ 1.28
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQA9N90C-F109.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP9NK70ZFP
N-Channel 700V - 1Ohm - 7.5A - TO-220FP Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQA9N90C-F109 fornite dai suoi distributori.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 9.0 A, 1.4 Ω, TO-3P
280W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 900V 1.4¦¸@ 4.5A,10V 9A 2.73nF@25V TO-3P 23.8mm
Transistor Mosfets Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQA9N90C-F109
Transistor MOSFET N 900V 1.4ohm 9A TO3 3
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail
900V 9A 1.4Ω@10V,4.5A 280W 5V@250uA N Channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
FQA9N90C-F109 - POWER MOSFET, N-
MOSFET, N-CH, 900V, 9A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 1.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation280 W
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height23.8 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità