onsemi FODM217A
$ 0.207
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +16.49%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FODM217A.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FODM217A fornite dai suoi distributori.
OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4SOP / Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3750V Isolation
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin MFP Tube
Single Channel, DC Sensing Input, Phototransistor Optocoupler In Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package
The FODM217 Series single channel, DC sensing input, optocoupler consists of one gallium arsenide (GaAs) infrared light emitting diode optically coupled to one phototransistor, in a compact, half-pitch, mini-flat, 4-pin package. The input-output isolation voltage, VISO, is rated at 3,750 VACRMS.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +16.49%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Weight120 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Transfer Ratio80 %
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.4 V
Isolation Voltage3750 Vrms
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature110 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Reverse Voltage6 V
Turn-Off Delay Time3 µs
Turn-On Delay Time3 µs
Dimensions
Height2.39 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità