onsemi FJAF4210RTU
$ 2.014
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-11-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FJAF4210RTU fornite dai suoi distributori.
Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.962 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-140 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating-10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min50
Max Collector Current10 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation80 W
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)-140 V
Dimensions
Height29.9 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità