onsemi FGY60T120SQDN
$ 5.845
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -54.89%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FGY60T120SQDN.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-12-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FGY60T120SQDN fornite dai suoi distributori.
Igbt, Ultra Field Stop -1200V 60A/ Tube Rohs Compliant: Yes |Onsemi FGY60T120SQDN
IGBT 1200V 60A UFS / IGBT 1200 V 120 A 517 W Through Hole TO-247-3
FGY Series 1200 V 60 A 259 W Through Hole Ultra Field Stop IGBT - TO-247-3LD
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT, Ultra Field Stop -1200V 60A
Trans IGBTChip N-CH 1200V 120A 517W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT Transistors IGBT 1200V 60A UFS
DGTL ISO 1000VRMS 2CH GP 8SOIC
517W 120A 1200V TO-247 IGBTs ROHS
IGBT, 1.2KV, 120A, 175DEG C, 517W; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 517W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of P
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -54.89%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current120 A
Max Collector Current120 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation517 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation517 W
Turn-Off Delay Time296 ns
Turn-On Delay Time52 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità