onsemi FGP5N60LS
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Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Parti correlate
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
onsemiISL9V3040P3
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FGP5N60LS fornite dai suoi distributori.
FIELD STOP IGBT, 600V, 10A, 3-TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop IGBTs offer the optimum performance for HID ballast where low conduction losses are essential.
IGBT,N CH,600V,10A,T220AB; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:83W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Max:83W
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità