onsemi FGA40T65SHDF
$ 1.956
EOL
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FGA40T65SHDF | 478 | 472 | 4d | ||||||||
| Rochester Electronics | FGA40T65SHDF | 1250 | 20h | |||||||||
| DigiKey | FGA40T65SHDF-ND | 73 | 1 | Tube | ||||||||
| Flip Electronics | FGA40T65SHDF | 478 | 6d | |||||||||
| Farnell | FGA40T65SHDF | 0 | 450 | Tube | 15h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FGA40T65SHDF.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
onsemiFGA6540WDF
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN / Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
InfineonIHW40N65R5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
InfineonIHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5 Series 650 V 80 A 282 W Reverse Conducting IGBT - PG-TO-247-3
InfineonIKW40N65WR5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FGA40T65SHDF fornite dai suoi distributori.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 268 W Through Hole TO-3PN
650V FS Gen3 Trench IGBT - 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating and MWO.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.81 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation268 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation268 W
Reverse Recovery Time101 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height23.8 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità