Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDU8880.
Parti correlate
onsemiNTD4808N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 63A 2W 5.6ns
onsemiNTD4810N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 54A Tc 54A 2W 2.6ns
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDU8880 fornite dai suoi distributori.
MOSFETs 30V,58A,10 OHM, NCH PWR TRENCH MOSFET
MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
new, original packaged
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating58 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.26 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time91 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDU8880.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità