onsemi FDU6612A
$ 0.37
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
onsemiNTD4815NH-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 17.6ns
onsemiNTD4815N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 21.4ns
onsemiNTD4809NA-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 30V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDU6612A fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
MISCELLANEOUS MOSFETS;
IPAK SINGLE NCH
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Current Rating30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance660 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max20 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità