onsemi FDS6675BZ
$ 0.412
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -17.36%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDS6675BZ.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi FDS6675BZ, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishaySI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7413PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDS6675BZ fornite dai suoi distributori.
P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13mΩ
Transistor: P-Mosfet; Unipolar; -30V; -11A; 2.5W; So8
-30 V, -11 A, 13 MILLI OHM P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -17.36%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.47 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance21.8 MΩ
Rise Time7.8 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDS6675BZ.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità