onsemi FDP8896
$ 0.706
Obsolete
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Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +197%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2024-01-03
LTD Date2024-07-03
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
InfineonIRL8113PBF
MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP8896 fornite dai suoi distributori.
RAIL/30V,92A,5.9m ohm ,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
onsemi N-Ch Enhancement MOSFET PowerTrench Vds=30V 16A TO-220AB TH 3-Pin
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 92A, 5.9mΩ
N-Channel 30 V 5.9 mOhm PowerTrench Mosfet - TO-220AB
30 V, 92 A, 5.9 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +197%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current60 A
Current Rating92 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.525 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max5.9 mΩ
Resistance5.9 MΩ
Rise Time103 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage30 V
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità