onsemi FDP8440
$ 1.652
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Parti correlate
InfineonIRFB7437PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRFB7434PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRFB3004GPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free and Halogen Free TO-220AB package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP8440 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 40V, 277A, 2.2mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
306W(Tc) 20V 3V@ 250µA 450nC@ 10V 1individualNChannel 40V 2.2mΩ@ 80A,10V 100A 24.74nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time290 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance24.74 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation306 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation306 W
Rds On Max2.2 mΩ
Resistance2.2 MΩ
Rise Time130 ns
Turn-Off Delay Time435 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità