Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDP5N50.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP5N50 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4Ω | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
MOSFET, UniFET, 500V
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance640 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDP5N50.