onsemi FDP060AN08A0
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Tendenza a 3 mesi: +1.15%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIRF2807PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
InfineonIRF2805PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 3.9Milliohms;ID 175A;TO-220AB;PD 330W;-55de
InfineonIRF1405ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB N-Channel 55 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP060AN08A0 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 6mΩ
N-Channel 75 V 6 mOhm Power Trench Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
TO220AB, SINGLE, NCH, 75V, 0.0063 OHM POWERTRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
255W(Tc) 20V 4V@ 250µA 95nC@ 10V 1individualNChannel 75V 6mΩ@ 80A,10V 16A，80A 5.15nF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +1.15%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation255 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time79 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità