onsemi FDN5632N-F085
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +499%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDN5632N-F085.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China, Malaysia, Philippines, Thailand, Vietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIRLML2060TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
InfineonIRLML0060TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDN5632N-F085 fornite dai suoi distributori.
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 1.6A, 98mΩ
Single N-Channel 60 V 135 mOhm 12 nC 1.1 W PowerTrench SMT Mosfet - SSOT-3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.7 A, 0.082 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
1.1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 12nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 82mΩ@ 1.7A,10V 1.7A 475pF@15V SOT-23-3 SMD mount 2.92mm*1.4mm*950μm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +499%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance475 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max82 mΩ
Rise Time1.7 ns
Turn-Off Delay Time5.2 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDN5632N-F085.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità