onsemi FDN5632N-F085

Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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NRND
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Rochester ElectronicsFDN5632N-F0852442
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Schede tecniche e documenti

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onsemi

Datasheet7 pagine3 anni fa

IHS

Farnell

Future Electronics

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Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia, Philippines, Thailand, Vietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-26
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)

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Descrizioni

Descrizioni di onsemi FDN5632N-F085 fornite dai suoi distributori.

Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 1.6A, 98mΩ
onsemi
Single N-Channel 60 V 135 mOhm 12 nC 1.1 W PowerTrench SMT Mosfet - SSOT-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.7 A, 0.082 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Avnet

Immagini

Augswan
TME
LZChips

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • FDN5632N-F085.