onsemi FDMD8280
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-11-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Parti correlate
onsemiNVMFS5C670NLT1G
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 71A, 6.1mΩ Power MOSFET 60 V, 6.4 mohm, 67 A, Single N-Channel
onsemiNTMFS5C670NLT1G
TRANSISTOR, MOSFET, POWER, SINGLE, N-CHANNEL, 60V, 6.1MOHM, 71A, NTMFS5C670NL
Diodes Inc.DMN62D0LFB-7
DMN62D0LFB Series 60 V 100 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3
Diodes Inc.DMN62D0LFD-7
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.31A, X1-Dfn1212 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN62D0LFD-7
Diodes Inc.DMN62D1SFB-7B
MOSFET N-Ch 60V 410mA 1.4Ω@40mA,10V 80pF@40V 2.3V@250µA 2.8nC@10V 470mW(Ta) DFN SMD
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMD8280 fornite dai suoi distributori.
Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 80V, 40A, 8.2mΩ
Dual N-Channel 80 V 40 A 8.2 mOhm SMT Power Trench® MOSFET - Power-12 (3.3x5)
PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
This device includes two 80V N-Channel MOSFETs in a dual Power (3.3 mm X 5 mm) package. HS source and LS Drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins12
Number of Terminals12
Weight82.3188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.05 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max8.2 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height800 µm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità