onsemi FDMC86265P
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Obsolete
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Pkg
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-05-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN15A27KTC
N-Channel 150 V 650 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252-3
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMC86265P fornite dai suoi distributori.
PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet - 8LD,MLP,DUAL, 3.3MM SQUARE
P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -2.6A, 1.2Ω
Single P-Channel -150 V 1.4 Ohm 4 nC 2.3 W PowerTrench Mosfet - POWER 33-8
2.3W(Ta)，16W(Tc) 25V 4V@ 250µA 4nC@ 10 V 1individualPChannel 150V 1.2Ω@ 1A,10V 1A，1.8A 210pF@75V MLP-8 SMD mount 3.3mm*3.3mm*800μm
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance210 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time2.2 ns
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time5.8 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità