onsemi FDMC007N08LCDC
$ 1.77
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -94.51%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDMC007N08LCDC.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMC007N08LCDC fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN / N-Channel 80 V 64A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80 V, 64A, 6.8mΩ
Transistor MOSFET N-CH 80V 64A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 80V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
Mosfet, N Ch, 80V, 64A, Qfn-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0051Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Onsemi FDMC007N08LCDC
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -94.51%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation57 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità