onsemi FDMA86251
$ 0.519
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIRFL4315TRPBF
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
InfineonIRFL4315PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 185 Milliohms;ID 2.6A;SOT-223;PD 2.8W;-55de
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA86251 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 2.4A, 175mΩ
MV5 150V/20V single n-channel powertrench MOSFET - 6LD,MLP,DUAL,NON-JEDEC,2MM SQUARE,SINGLE TIED DAP
MOSFET, N-CH, 150V, 2.4A, 2.4W, WDFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.4A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.148ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance363 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max175 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height800 µm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità