onsemi FDMA86151L
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Tendenza a 3 mesi: -8.04%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA86151L fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 3.3A, 88mΩ
2.4W(Ta) 20V 3V@ 250µA 7.3nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 88mΩ@ 3.3A,10V 3.3A 450pF@50V MICROFET-6 SMD mount 2mm*2mm*750μm
Embedded - Microcontrollers 3 (168 Hours) 144-LQFP 92 40K x 8 Internal DMA, PWM, WDT Surface Mount Tray 32-Bit IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144QFP
MOSFET, N-CH, 3.3A, 100V, WDFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.3A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.04%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/Package100
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance450 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max88 mΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time5.6 ns
Dimensions
Height800 µm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità