onsemi FDMA7670
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Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.69%
Modelli CAD
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Parti alternative
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Parti correlate
InfineonBSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA7670 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 11A, 15mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R
Accessories 1 (Unlimited) 2 Weeks OPTION CARD,DSP/MC RS232/485 CARD
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Single Pt7 Nch 30/20V Mlp/Reel |Onsemi FDMA7670
2.4W(Ta) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10V 1individualNChannel 30V 15mΩ@ 11A,10V 11A 1.36nF@15V MICROFET-6 SMD mount 2mm*2mm*750μm
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.69%
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.36 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità