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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDG314P.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDG314P fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 25V 0.65A 6-Pin SC-70 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
750mW(Ta) 1.5V@ 250µA 1.5nC@ 4.5V 1individualPChannel 25V 1.1Ω@ 500mA,4.5V 63pF@10V SC-70-6，SC-88 SMD mount
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-25V; Continuous Drain Current, Id:0.65A; On Resistance, Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:6-SC-70 ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)650 mA
Current Rating-650 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-25 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance63 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation750 mW
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)-25 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDG314P.