onsemi FDC637BNZ
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Production
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Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +63.64%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDC637BNZ fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 6.2A, 24mΩ
TAPE REEL/20V, 6.2A, 24 m ohm,NCH SPECIFIED POWER TRENCH MOSFET
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.021OHM, 6.2A, SUPERSOT-6
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Avnet Japan
1.6W(Ta) 12V 1.5V@250µA 12nC@4.5V N-Ch MOSFET 20V 22mΩ@10V 4.2A 895pF@10V SMD 2.9mm × 1.6mm × 1mm
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +63.64%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance895 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs800 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation800 mW
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità