onsemi FDB9503L-F085
$ 2.75
EOL
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.21%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDB9503L-F085.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB9503L-F085 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
P-Channel PowerTrench® MOSFET, -40 V, -110 A, 2.6 mΩ
P-Channel Logic Level Powertrench Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDB9503L_F085
P-Channel PowerTrench MOSFET, 40 V 110A, TO-263AB Qualified to AEC Q101
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
333W(Tj) 16V 3V@ 250µA 255nC@ 10 V 1individualPChannel 40V 2.6mΩ@ 80A,10V 110A 8.32nF@20V D2PAK，TO-263 SMD mount 5.08mm(height)
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.21%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation333 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation333 W
Turn-Off Delay Time700 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità