onsemi FDB9409-F085
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
VishaySUM90N04-3M3P-E3
Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Diodes Inc.DMTH4004SCTB-13
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 3 Milliohms, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIPB100N04S2L03ATMA2
40V, N-Ch, 3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N04S404ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIPB80N04S403ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB9409-F085 fornite dai suoi distributori.
Automotive N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 80 A, 3.5 mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
94W(Tj) 20V 4V@ 250µA 56nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 3.5mΩ@ 80A,10V 80A 2.98nF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation94 W
Rds On Max3.5 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità