onsemi FDB86566-F085
$ 1.58
EOL
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Distributore
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Min
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.86%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDB86566-F085.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 13 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB86566-F085 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ
Mosfet, N-Ch, 60V, 110A, 175Deg C, 176W Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB86566-F085
Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
176W(Tj) 20V 4V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 2.7m¦¸@ 80A,10V 110A 6.655nF@30V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.86%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.655 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation176 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation176 W
Rds On Max2.7 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDB86566-F085.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità