onsemi FDB3672-F085
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
InfineonAUIRF540ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB3672-F085 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 44A, 28mΩ
N-Channel Powertrench Mosfet / Tape Reel
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
FDB3672_F085 Fairchild/ON Semiconductor
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation120 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità