onsemi BSS64LT1G
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.33%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC846ALT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
onsemiBC846BLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BSS64LT1G fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
ON SEMI BSS64LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 80 V, 3-PIN SOT-23
BSS Series 80 V 100 mA SMT NPN Silicon Driver Transistor - SOT-23
NPN Bipolar Small Signal Transistor
TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 / Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
200mV@ 15mA,50mA NPN 300mW 5V 100nA 120V 80V 100mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*1mm
80V 225mW 100mA 20@10mA1V 60MHz 200mV@50mA15mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Transistor, Bipol, Npn, 80V, Sot-23-3; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:60Mhz; Power Dissipation Pd:225Mw; Dc Collector Current:100Ma; Dc Current Gain Hfe:20Hfe; Transistor Caserohs Compliant: Yes |Onsemi BSS64LT1G
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.33%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency60 MHz
Gain Bandwidth Product60 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency60 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency60 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità