onsemi BD17516STU
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BD17516STU fornite dai suoi distributori.
Transistor, bjt, npn,45V V(Br)Ceo,3A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD17516STU
1.5 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
45V 30W 3A 100@150mA2V 3MHz 800mV@1A100mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-126-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height14.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità