onsemi BD13810STU
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.17%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BD13810STU fornite dai suoi distributori.
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,1.5A I(C),to-225Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD13810STU
1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power Junctions Transistor
60V 1.25W 1.5A 63@150mA2V 500mV@500mA50mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.17%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min63
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.25 W
Transition Frequency75 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità