onsemi BCW65CLT1G
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Tendenza a 3 mesi: +4.78%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiMMBT4401LT1G
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Switching; VCEO 40VDC; IC 600mA; PD 225mW; SOT-23; hFE 40
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BCW65CLT1G fornite dai suoi distributori.
ON SEMI BCW65CLT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.8 A, 32 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
BCW Series 32 V 800 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
NPN Bipolar Transistor hFE 250 to 630
800 mA 32 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
32V 225mW 800mA 250@100mA1V 100MHz 700mV@500mA50mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current800mA, maximum collector-emission voltage32 V
Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:32V; Dc Collector Current:800Ma; Power Dissipation Pd:225Mw; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:100Mhz; Dc Current Gain Hfe:100Hferohs Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +4.78%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)32 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità