onsemi BCW65ALT1G
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Tendenza a 3 mesi: -13.95%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC81825MTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC81840MTF
BC818 Series 25 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Diodes Inc.MMBT4401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-13-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BCW65ALT1G fornite dai suoi distributori.
ON SEMI BCW65ALT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.8 A, 32 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
BCW Series 32 V 800 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
NPN Bipolar Transistor hFE 100 to 250
TRANSISTOR, NPN, 32V, 0.8A, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 32V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Tra
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -13.95%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min35
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)32 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità