onsemi BC857S
Obsolete
Prezzo e stock
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Parti correlate
onsemiMMBT3906WT1G
Bipolar Transistors (BJT); MMBT3906WT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 40 V; 200 mA; 3
ROHM2SA1774TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMUMT3906T106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC857S fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
TRANSISTOR,BJT,PAIR,PNP,45V V(BR)CEO,200MA I(C),SO
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 200 mA. Sourced from Process 68.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità