onsemi BC857CDW1T1G
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Tendenza a 3 mesi: -79.05%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC857BDW1T1G
Bipolar Transistors (BJT); BC857BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 6; 45 V; 100 mA
onsemiBC847BPDW1T1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
onsemiBC847BPDW1T3G
100 mA 45 V, Co-packaged NPN and PNP Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC857CDW1T1G fornite dai suoi distributori.
BC857CDW1T1G - 45 V 100 mA Dual PNP General Purpose Transistor - SOT-363
ON SEMI BC857CDW1T1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SOT-363
PNP DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -4;
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363 / Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
ON SEMICONDUCTOR - BC857CDW1T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE
onsemi PNP Transistor SOT-363 (SC-88) SMD -100mA -45V
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-363-6; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 270h
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -79.05%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità