onsemi BC856CMTF
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.BC856A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.BC856B-13-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC856CMTF fornite dai suoi distributori.
BC856 Series 65 V 100 mA 310 mW PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
TRANSISTOR,BJT,PNP,65V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236AA
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
PNP Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SOT-23-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 310mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 420hF
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation310 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità