onsemi BC559CTA
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Tendenza a 3 mesi: -8.15%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC559CTA fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC559 Series 30 V 100 mA Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 / Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
General Purpose Transistors PNP Ic=100mA Vceo=30V hfe=110~220 P=500mW TO92-3
General Purpose Transistor, TO-92, PNP, 30V
30V 500mW 100mA 420@2mA5V 150MHz 250mV@100mA5mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.15%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency10 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Box (TB)
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità