onsemi BC550CTA
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Tendenza a 3 mesi: -100%
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC550CTA fornite dai suoi distributori.
Supplied as a Tape, ON Semi BC550CTA NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin TO-92
BC550 Series 45 V CE Breakdown .1 A NPN Epitaxial Silicon Transistor -TO-92
TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92 82C0481;
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage45 V
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Box (TB)
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità