onsemi BC550
$ 0.044
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2012-02-23
LTD Date2012-08-23
Parti correlate
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC550 fornite dai suoi distributori.
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN 500W 5V 15nA 50V 45V 100mA TO-92-3 Through hole mounting 5.33mm(height)
Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 100mA HFE/8
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Package/Case:TO-92; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Current Rating:100mA; Voltage Rating:45V ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:2mA; Device Marking:BC550; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:300MHz; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:110; No. of Transistors:1; Noise Factor Max:3dB; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:f; Power Dissipation Pd:500mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:30V
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min110
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
TerminationThrough Hole
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height5.33 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità