onsemi BC546CTA
$ 0.037
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +1.62%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC546CTA fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC546 Series 65 V 100 mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
General Purpose Transistor, TO-92, NPN, 65V
65V 500mW 100mA 420@2mA5V 300MHz 250mV@100mA5mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR NPN 65V 100MA TO-92
TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 420hFE; Tr
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +1.62%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità