onsemi 4N38SR2M
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Tendenza a 3 mesi: -90.64%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2007-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Lite-OnCNY17F-3S-TA1
CNY17F Series Single Channel 70 V 5000 Vrms Optocoupler Surface Mount - DIP-6
VishayCNY17F-1X007T
OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-SMD / Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 6-Pin PDIP SMD T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi 4N38SR2M fornite dai suoi distributori.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White T/R
Avnet Japan
6-pin DIP High Voltage Phototransistor Output Optocoupler
6-DIP 80 V 4170 Vrms Surface Mount Bent Leads Phototransistor Optocoupler
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 7500V Isolation
OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 4.17KV, SMDIP-6; No. of Channels: 1 Channel; Optocoupler Case Style: Surface Mount DIP; No. of Pins: 6Pins; Forward Current If Max: 80mA; Isolation Voltage: 4.17kV; CTR Min: 20%; Collector Emitter Volt
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight810 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1 V
Current Transfer Ratio2 %
Dark Current50 nA
Fall Time5 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Isolation Voltage7500 Vrms
Max Collector Current100 mA
Max Input Current80 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage80 V
Max Power Dissipation260 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel100 mA
Power Dissipation300 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Rise Time5 µs
Schedule B8541408000
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità