Omron EESX1107
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
VishayTEMD5110X01
IR-photodiode Photoelectric current: 45...65 uA Wavelength of max. photosensitivity: 940 nm
OsramSFH 3400-Z
Ambient Light Sensor PhototransistorChip Silicon 850nm Automotive AEC-Q102 3-Pin DIL SMT T/R
ams-OSRAMSFH 3400-2/3-Z
Ambient Light Sensor Phototransistor Chip Silicon 850nm 3-Pin DIL SMT T/R
Descrizioni
Descrizioni di Omron EESX1107 fornite dai suoi distributori.
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 1mm Slot Width
Fork coupler [Omron Electronic Components] EE-SX1107 Fork coupler
SENSOR, PHOTOTRANSISTOR, REFLECTIVE SENSING MODE, PHOTOMICRO, RED LED
Photointerrupter Transmissive 1mm Phototransistor 4-Pin T/R
PHOTO MICROSENSOR, TRANSISTOR, FULL REEL
Photomicrosensor Transmissive RoHSconf
Omron SMD PHOTOMICROSENSOR (REEL)
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter; No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current Max:5mA; Output Voltage Max:10V; Operating Temperature Range:-30 C to +85 C ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Omron ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Omron può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountPCB, Surface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Dark Current100 nA
Fall Time10 µs
Forward Current25 mA
Forward Voltage1.1 V
Input Current5 mA
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current20 mA
Max Input Current5 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Current20 mA
Max Power Dissipation75 mW
Min Operating Temperature-30 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage20 V
PackagingCut Tape
Peak Wavelength940 nm
Power Dissipation75 mW
Response Time10 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance990.6 µm
TerminationSMD/SMT
Wavelength940 nm
Dimensions
Height3 mm
Length3.4 mm
Width3 mm
Schede tecniche e documenti
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