Omron EE-SA104
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 TraceParts | 3D | Scarica | |
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Descrizioni
Descrizioni di Omron EE-SA104 fornite dai suoi distributori.
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Actuator Mounted PCB Type
940nm Through-Beam 3mm 4¦Ìs,4¦Ìs Phototransistor PCB, 9mm*4mm*9.7mm
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3mm Slot Width
PHOTO MICROSENSOR | Omron Electronic Components EE-SA104
Photointerrupter Transmissive 3mm Phototransistor 4-Pin
Actuator Mounting, PCB mounting, RoHS
Omron SCT
Photo micro sensor interrupters
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
OPTO SWITCH, ACTUATOR TYPE; Temperature, Operating Range:-25°C to +85°C; Depth, External:9.7mm; Length / Height, External:9mm; Temp, Op. Max:85°C; Temp, Op. Min:-25°C; Width, External:4mm; Current, Input:30mA; Current, Output:20mA; Distance, Sensing Max:3mm; Output Type:Bipolar Transistor; Sensor Type:Slotted; Wavelength, Peak:940nm
Alias del produttore
Omron ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Omron può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Circuits1
Output ConfigurationPhototransistor
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Sensing Distance3 mm
Wavelength940 nm
Dimensions
Width500 µm
Schede tecniche e documenti
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