NXP Semiconductors PMF3800SN,115
$ 0.126
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | PMF3800SN,115 | 9000 | 2374 | |||||||||
| Rochester Electronics | PMF3800SN,115 | 9000 | 12h | |||||||||
| Microchip USA | PMF3800SN,115 | 337 | 3500 | 6d | ||||||||
| Win Source | WS-PMF3800SN,115 | 6000 | 830 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | PMF3800SN,115 | 11.885 | 7 | Tape & Reel | 11h |
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Parti alternative
0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-12-31
LTD Date2015-06-30
Parti correlate
NXP SemiconductorsBSH111,215
NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Descrizioni
Descrizioni di NXP Semiconductors PMF3800SN,115 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SC-70 T/R
560mW(Tc) 15V 3.3V@1mA 0.85nC@ 10 V 1N 60V 4.5¦¸@ 500mA,10V 40pF@10V SC-70 1mm
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
N-channel TrenchMOS standard level FET
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Alias del produttore
NXP Semiconductors ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. NXP Semiconductors può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)260 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance40 pF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation560 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation560 mW
Rds On Max4.5 Ω
Resistance4.5 MΩ
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità