Nexperia PSMN4R8-100BSEJ
$ 3.045
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | PSMN4R8-100BSEJ | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Newark | PSMN4R8-100BSEJ | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | PSMN4R8-100BSEJ | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | PSMN4R8-100BSEJ | 0 | 800 | 18h | ||||||||
| Arrow Electronics | PSMN4R8-100BSEJ | 0 | 4800 |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.33%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsBUK7619-100B,118
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsBUK7109-75AIE,118
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PSMN4R8-100BSEJ fornite dai suoi distributori.
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 100 V, 4.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
PSMN4R8 Series 100 V 4.8 mOhm 278 nC N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Tendenza a 3 mesi: -98.33%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MaterialBrass, Bronze
Number of Pins3
Number of Terminals2
PlatingGold, Lead, Tin
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation405 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation405 W
Rise Time65 ns
Schedule B8541290080
TerminationWire Wrap
Turn-Off Delay Time127 ns
Turn-On Delay Time41 ns
Dimensions
Wire/Cable Gauge18 AWG
Wire Gauge (Max)24 AWG
Wire Gauge (Min)20 AWG
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità