Nexperia PSMN1R0-30YLDX
$ 1.05
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Distributore
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Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.66%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PSMN1R0-30YLDX.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsBUK761R4-30E,118
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
NXP SemiconductorsBUK6E2R0-30C,127
N CH MOSFET, TRENCH AUTO, 30V, 120A, 3TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Co
Diodes Inc.DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 / Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PSMN1R0-30YLDX fornite dai suoi distributori.
N-channel 30 V, 1.0 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 300 A, 1.02 Milliohms, LFPAK56, 4 Pins, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.66%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.598 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation238 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max1.02 mΩ
Rise Time44.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time32.4 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità