Nexperia PSMN020-30MLCX
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.20%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PSMN020-30MLCX.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsPMN20EN,115
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N-CH 30V 6TSOP
NXP SemiconductorsPMV22EN,215
Mosfet Transistor, N Channel, 5.2 A, 30 V, 0.017 Ohm, 10 V, 1.5 V
Diodes Inc.DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 / Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PSMN020-30MLCX fornite dai suoi distributori.
N-channel 30 V 18.1 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology
Power Field-Effect Transistor, 31.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 31.8A, LFPAK33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.62V; Power Dissipation Pd:33W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:SOT-1210; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.20%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance430 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max18.1 mΩ
Rise Time7.2 ns
Threshold Voltage1.62 V
Turn-Off Delay Time10.1 ns
Turn-On Delay Time6.1 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia PSMN020-30MLCX.
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità