Nexperia PSMN015-100B,118
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-08-31
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsBUK7619-100B,118
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsBUK7109-75AIE,118
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
NXP SemiconductorsBUK7Y54-75B,115
Trans MOSFET N-CH 75V 21.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
NXP SemiconductorsBUK9E6R1-100E,127
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PSMN015-100B,118 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
PSMN015 Series 100 V 15 mOhm 90 nC SMT N-Channel Standard Level MOSFET - TO-263
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-263;
NEXPERIA PSMN015-100B - 75A, 100
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:75A; On Resistance Rds(On):0.015Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Product Range:-
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.9 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time65 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità